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QS6M4
Transistors
Electrical characteristics (Ta=25 ° C)
<Tr1. N-ch MOSFET>
Parameter
Gate-source leakage
Symbol
I GSS
Min.
?
Typ.
?
Max.
± 10
Unit
μ A
Conditions
V GS =± 12V / V DS = 0V
Drain-source breakdown voltage V (BR) DSS
30
?
?
V
I D = 1mA / V GS = 0V
Zero gate voltage drain current
Gate threshold voltage
Static drain-source on-state
resistance
I DSS
V GS (th)
?
R DS (on)
?
0.5
?
?
?
?
?
170
180
260
1
1.5
230
245
360
μ A
V
m ?
V DS = 30V / V GS = 0V
V DS = 10V / I D = 1mA
I D = 1.5A / V GS = 4.5V
I D = 1.5A / V GS = 4.0V
I D = 1.0A / V GS = 2.5V
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Y fs
C iss
C oss
C rss
t d (on)
t r
t d (off)
t f
?
?
?
?
?
1.0
?
?
?
?
?
?
?
?
80
25
15
7
18
15
15
?
?
?
?
?
?
?
?
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V DS = 10V / I D = 1.0A
V DS = 10V
V GS = 0V
f = 1MHz
I D = 1A, V DD 15V
V GS = 4.5V
R L = 15 ? / R G = 10 ?
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain charge
Q g
Q gs
Q gd
?
?
?
?
?
?
1.6
0.5
0.9
?
?
?
nC
nC
nC
V DD 15V
V GS = 4.5V
I D = 1.5A
R L = 10 ?
R G = 10 ?
? Pulsed
Body diode characteristics (Source-Drain)
<Tr1. N-ch MOSFET>
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
Forward voltage
V SD
?
?
?
1.2
V
I S = 3.2A / V GS = 0V
? Pulsed
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